Nanoelektronika

A VIK Wikiből
A lap korábbi változatát látod, amilyen Hermann László (vitalap | szerkesztései) 2016. január 9., 14:59-kor történt szerkesztése után volt. (→‎Zárthelyi)
(eltér) ← Régebbi változat | Aktuális változat (eltér) | Újabb változat→ (eltér)
Ugrás a navigációhoz Ugrás a kereséshez
Nanoelektronika
Tárgykód
VIEEM252
Általános infók
Szak
villany MSc
Kredit
4
Ajánlott félév
2
Tanszék
EET
Követelmények
NagyZH
1 db
Vizsga
írásbeli
Elérhetőségek


Segédanyagok

Zárthelyi

2012. zh

  1. A Schrödinger-egyenlet levezetése
  2. Rezonáns alagútdióda
  3. Tápfeszültség csökkentése a nanoelektronikai eszközökben
  4. Karakterisztikus hosszak
  5. Karakterisztikus idők

2012. pótzh

  1. A Schrödinger-egyenlet megoldása potenciálgáton belül és kívül
  2. Kettős potenciálgát energiaviszonyai
  3. Elektrontranszport vezetőkben mikro-, és nanokörnyezetben
  4. Elektrontranszport szigetelőkben mikro-, és nanokörnyezetben
  5. CMOS - Bipoláris összehasonlítás, miért nincs BiPMOS

2015. 1. zh

  1. A Schrödinger egyenletről minden (felírás, levezetés, értelmezés)
  2. Rezonáns alagutazás: a kettős potenciálgát
  3. A szilíciumban fellelhető hosszak, és ezek konkrét értékei
  4. Vezetés vezetőben, mikroszkopikus és makrokörnyezetben
  5. Vezetés vákuumban, vákuum nanoelektronika

2015. 2. zh

  1. Bipoláris kettős tunnel gates tranzisztor
  2. 3-2-1-0 dimenziós rendszerek (kvantum sík, kvantum szál, kvantum pötty)
  3. Milyen módszerekkel lehet a diffrakciós korláton átlépni a fotolitográfia fejlesztése (alkalmazása) során?
  4. Mi a kvantum pötty logika?
  5. A MIT jelenség, a MIT ellenállás karakterisztikája

Vizsga

2011.12.20. vizsga

  • nanocsövek (zolomy)
  • véges és végtelen potenciálgát energiaviszonyai (zolomy)
  • karakterisztikus hosszak (mizsei)
  • tau-Ptau (mizsei)
  • nemlinearítás - görbület (mizsei)

2012.01.05. vizsga

  • Bipoláris és FET tranzisztotok muködési elvének összehasonlítása, a karakterisztikus távolságok szerepe a muködésben (mizsei)
  • Nemlinearitás, mint a digitális technika alapja (mizsei)
  • Vezetési jelenségek vezetokben és szigetelokben mikro- és makroméretben (mizsei)
  • Schrödinger "levezetése", eredmény értelmezése (zolomy)
  • Bipoláris rezonáns alagút tranzisztor (zolomy)

2012.01.19. vizsga

  • nanocsövek (zolomy)
  • Rezonáns tunnek dióda áram-feszültség karakterisztikája és alkalmazási lehetőségei (zolomy)
  • Poisson-egyenlet megoldása Si felületközeli tartományában kiürítéses közelítéssel és Boltzmann közelítéssel. A felületegységre eső töltés (felületi térerő) és a felületi potenciálgát közötti kapcsolat (mizsei)
  • "Energetikai" korlátok az információfeldolgozásban (mizsei)
  • "Klasszikus" és erősen "méretcsökkentett" MOS tranzisztor keresztmetszeti rajza (mizsei)

2012.12.18. vizsga

  • bipoláris alagút tranzisztor
  • nanocsövek tulajdonságai, szerkezete, előállítása
  • vezetés fémben, félvezetőben nano tartományban
  • vezetés szigetelőkben nano tartományban
  • új technológiák használata a modern CMOS áramkörökben (felsorolás)

2013.01.03. vizsga

  • Ballisztikus transzport
  • Bipoláris és MOS tranzisztor transzfer karakterisztikájának levezetése
  • Szén nanocsövek
  • Szén nanocsövek alkalmazása


1. félév (tavasz)
2. félév (ősz)
3. félév (tavasz)
Egyéb