„Nanoelektronika” változatai közötti eltérés
Ugrás a navigációhoz
Ugrás a kereséshez
| (3 közbenső módosítás, amit egy másik szerkesztő végzett, nincs mutatva) | |||
| 34. sor: | 34. sor: | ||
===Zárthelyi=== | ===Zárthelyi=== | ||
| − | |||
| − | |||
'''2012. zh''' | '''2012. zh''' | ||
# A Schrödinger-egyenlet levezetése | # A Schrödinger-egyenlet levezetése | ||
| 50. sor: | 48. sor: | ||
# CMOS - Bipoláris összehasonlítás, miért nincs BiPMOS | # CMOS - Bipoláris összehasonlítás, miért nincs BiPMOS | ||
| − | === Vizsga === | + | '''2015. 1. zh''' |
| + | # A Schrödinger egyenletről minden (felírás, levezetés, értelmezés) | ||
| + | # Rezonáns alagutazás: a kettős potenciálgát | ||
| + | # A szilíciumban fellelhető hosszak, és ezek konkrét értékei | ||
| + | # Vezetés vezetőben, mikroszkopikus és makrokörnyezetben | ||
| + | # Vezetés vákuumban, vákuum nanoelektronika | ||
| + | |||
| + | '''2015. 2. zh''' | ||
| + | # Bipoláris kettős tunnel gates tranzisztor | ||
| + | # 3-2-1-0 dimenziós rendszerek (kvantum sík, kvantum szál, kvantum pötty) | ||
| + | # Milyen módszerekkel lehet a diffrakciós korláton átlépni a fotolitográfia fejlesztése (alkalmazása) során? | ||
| + | # Mi a kvantum pötty logika? | ||
| + | # A MIT jelenség, a MIT ellenállás karakterisztikája | ||
| + | |||
| + | ===Vizsga=== | ||
'''2011.12.20. vizsga''' | '''2011.12.20. vizsga''' | ||
* nanocsövek (zolomy) | * nanocsövek (zolomy) | ||
| 85. sor: | 97. sor: | ||
* Szén nanocsövek alkalmazása | * Szén nanocsövek alkalmazása | ||
| − | + | {{Lábléc - Mikro- és nanoelektronika szakirány}} | |
A lap jelenlegi, 2016. január 9., 13:59-kori változata
Segédanyagok
- Zólomy jegyzet néhány óráról 2010, 2011
- Mizsei jegyzet
- Andy Grove cikk
- Kvantumtranzisztor cikk
- Szén nanocsövekről cikk
- Bipoláris és MOS egyenletek levezetése
- Elektronvezetés
- Mikroszkópia
- Nemlinearitás
- Schrödinger egyenlet
- Karakterisztikus hosszak
- tau Ptau diagram
Zárthelyi
2012. zh
- A Schrödinger-egyenlet levezetése
- Rezonáns alagútdióda
- Tápfeszültség csökkentése a nanoelektronikai eszközökben
- Karakterisztikus hosszak
- Karakterisztikus idők
2012. pótzh
- A Schrödinger-egyenlet megoldása potenciálgáton belül és kívül
- Kettős potenciálgát energiaviszonyai
- Elektrontranszport vezetőkben mikro-, és nanokörnyezetben
- Elektrontranszport szigetelőkben mikro-, és nanokörnyezetben
- CMOS - Bipoláris összehasonlítás, miért nincs BiPMOS
2015. 1. zh
- A Schrödinger egyenletről minden (felírás, levezetés, értelmezés)
- Rezonáns alagutazás: a kettős potenciálgát
- A szilíciumban fellelhető hosszak, és ezek konkrét értékei
- Vezetés vezetőben, mikroszkopikus és makrokörnyezetben
- Vezetés vákuumban, vákuum nanoelektronika
2015. 2. zh
- Bipoláris kettős tunnel gates tranzisztor
- 3-2-1-0 dimenziós rendszerek (kvantum sík, kvantum szál, kvantum pötty)
- Milyen módszerekkel lehet a diffrakciós korláton átlépni a fotolitográfia fejlesztése (alkalmazása) során?
- Mi a kvantum pötty logika?
- A MIT jelenség, a MIT ellenállás karakterisztikája
Vizsga
2011.12.20. vizsga
- nanocsövek (zolomy)
- véges és végtelen potenciálgát energiaviszonyai (zolomy)
- karakterisztikus hosszak (mizsei)
- tau-Ptau (mizsei)
- nemlinearítás - görbület (mizsei)
2012.01.05. vizsga
- Bipoláris és FET tranzisztotok muködési elvének összehasonlítása, a karakterisztikus távolságok szerepe a muködésben (mizsei)
- Nemlinearitás, mint a digitális technika alapja (mizsei)
- Vezetési jelenségek vezetokben és szigetelokben mikro- és makroméretben (mizsei)
- Schrödinger "levezetése", eredmény értelmezése (zolomy)
- Bipoláris rezonáns alagút tranzisztor (zolomy)
2012.01.19. vizsga
- nanocsövek (zolomy)
- Rezonáns tunnek dióda áram-feszültség karakterisztikája és alkalmazási lehetőségei (zolomy)
- Poisson-egyenlet megoldása Si felületközeli tartományában kiürítéses közelítéssel és Boltzmann közelítéssel. A felületegységre eső töltés (felületi térerő) és a felületi potenciálgát közötti kapcsolat (mizsei)
- "Energetikai" korlátok az információfeldolgozásban (mizsei)
- "Klasszikus" és erősen "méretcsökkentett" MOS tranzisztor keresztmetszeti rajza (mizsei)
2012.12.18. vizsga
- bipoláris alagút tranzisztor
- nanocsövek tulajdonságai, szerkezete, előállítása
- vezetés fémben, félvezetőben nano tartományban
- vezetés szigetelőkben nano tartományban
- új technológiák használata a modern CMOS áramkörökben (felsorolás)
2013.01.03. vizsga
- Ballisztikus transzport
- Bipoláris és MOS tranzisztor transzfer karakterisztikájának levezetése
- Szén nanocsövek
- Szén nanocsövek alkalmazása
| 1. félév (tavasz) | |
|---|---|
| 2. félév (ősz) | |
| 3. félév (tavasz) | |
| Egyéb | |
