Anyagtudomány - Vizsgakérdések

A VIK Wikiből
A lap korábbi változatát látod, amilyen (vitalap) 2012. október 22., 11:50-kor történt szerkesztése után volt. (Új oldal, tartalma: „{{GlobalTemplate|Villanyalap|AnyagtudVizsga}} ===Anyagtudomány vizsgakérdések=== (Válaszokat szerkesszétek alá nyugodtan!) ====2005/06 I. félév==== =====20…”)
(eltér) ← Régebbi változat | Aktuális változat (eltér) | Újabb változat→ (eltér)
Ugrás a navigációhoz Ugrás a kereséshez

Ez az oldal a korábbi SCH wiki-ről lett áthozva. Az eredeti változata itt érhető el.

Ha úgy érzed, hogy bármilyen formázási vagy tartalmi probléma van vele, akkor kérlek javíts rajta egy rövid szerkesztéssel.

Ha nem tudod, hogyan indulj el, olvasd el a migrálási útmutatót


Anyagtudomány vizsgakérdések

(Válaszokat szerkesszétek alá nyugodtan!)

2005/06 I. félév

2006. január 9.
  • Mi az a kockatextúra?

A krisztallitok [100] és [010] iránya benne fekszik a hengerelt lemez síkjában.

  • Fick 2

A diffundáló anyag koncentrációváltozásának időfüggését megadó differenciálegyenlet.

  • Moore-törvény
    • Évente megduplázódik a IC összetettsége
  • Kontrakció

Z=(A0-A)/A0*100% A0 - anyag eredeti keresztmetszete, A - szakadási keresztmetszet -> keresztmetszet csökkenés, annak fajlagos értéke.

  • Bragg-egyenlet
    • n*"lamda" = 2d*sin"alfa" röntgendifrakcio

n egész szám d rácstávolság alfa beesési szög

  • Smith-diagram
  • Folyadékkristályok fajtái
  • n/N=e a "-Wü/kT"-ediken
    • Ez tehát az üres rácshelyek (vakanciák) átlagos száma (termodinaikai egyensúlyi helyzetben). N az összes rácshely, Wü az aktivációs energia (lásd fent), kT meg a hőmérséklet és a Boltzmann állandó szorzata (mint a fizikában). Mellesleg ugyanez a képlet érvényes minden un. termikusan aktivált folyamatra: ahol a folyamat végbemeneteléhez az atomoknak bizonyos energiamennyiséggel kell rendelkeznie (aktivációs energia) és ezt a hőmozgásból nyerik. Ilyen folyamat még a diffúzió.
  • Félvezetők rétegképzéses technológiája (megj.:epitaxia, ionbombázás stb.)

Ionbombázás- Kis térben valamilyen módn, meghatározott ionokat állítanak elő. ezeket a töltött részecskéket elektromos térrel felgyorsítják és ott ütközésük révén lelassulva, megváltoztatják a kémiai koncentrációt.

  • Egykristály
  • Zónázás. Megoszlási tényező.
  • Miben(?) hasonlítanak a sűrűn pakolt hexagonális és az fkk anyagok (kristályrácsuk (rétegződés))
  • Curie-hőmérséklet
  • Karakterisztikus röntgensugárzás létrejöttének oka
  • Miben különbözik az atomerő- és az alagútmikroszkóp?
  • Mi a kúszás? Mik ennek fémszerkezeti okai?
  • Domenfal
  • Mit bizonyít a Kirkendall-kísérlet?
  • Anizotrópia
2006. január 16.
  • Permalloy alkalmazása
  • Amorf fémek
  • Egyensúlyi diagramok felvételének módszere
  • Atomátmérő
    • A kristályrácsban két legközelebbi atom távolsága.
  • Intermetallikus vegyület
    • Olyan ötvözet (több atomfajtából felépülő kristály), amelyben a kristály rácspontjaiban nem a különböző atomok állnak, hanem a vegyületük, azaz a két (vagy több) atomból felépülő molekulák. Figyelem, ez egyfázisú anyag, annak ellenére, hogy két (vagy több) atom vesz részt benne, és általában minőségileg is erősen különbözik a két atom által külön-külön felépített kristályos fázisokból képződő ötvözettől.
  • Szubsztitúcios oldat fogalma, típusok
  • Termokompressziós kötes
  • Szilárdságnövelő eljárások
  • Kockatextúra
  • Remanens indukció
  • Lágyforraszanyagokra vonatkozó jogszabály változása
  • Charpy-féle vizsgálat
  • Hooke-törvény
  • Transzlációs egyenlet
  • Termikus rácshiba
  • Pásztázó elektronmikroszkóp működési elve
  • Czochralsky-egykristály
  • FKK elemek elektromos vezetési tulajdonságai
  • Javasolt-e INVAR ötvözet vezetékanyagnak? Miért?
    • Igen, a kis hőtágulása miatt.
  • Optikai mikroszkóp felbontóképessége
2006. január 19.
  • Magnetostrikció
  • Kifáradási határ
  • Folyáshatár
  • Kisciklusú fáradás
  • Bragg-egyenlet
  • Fick II.
  • Alagútmikroszkóp működési elve
  • Szilárd oldatok típusai
  • Allotróp átalakulás
  • Fehér(röntgen) sugárzás
  • Homogén magképződés
  • n-típusú félvezetők
  • Mi szükséges a diszlokációk csúszásához?
  • Diszlokációk mászása
  • Keveredési entrópia
  • Mi a különbség és a hasonlóság az eutektikum és az eutektoid között?
  • Rétegződési hiba
  • Martenzites átalakulás
  • Keménységvizsgálat elve
  • Félvezetők gyártási technológiája
2006. január 23.

A mai vizsga feladatai emlékeim alapján. 2 nem jutott eszembe.

  • fullerén
  • irány Miller-index
  • szövetelem
  • hogyan változik a diszlokációk számától függően a folyáshatár?
  • mi az összefüggés anizotrópia és textúra között?
  • mire használná az AlNiCo ötvözetet?
  • mire használná a konstantánt?
  • Curie-hőmérséklet
    • A paramágneses - ferromágneses átalakulás hőmérséklete
  • Kirkendall-kísérlet
  • Smith-diagram
  • hogyan működik az atomerőmikroszkóp?
  • hogy kapjuk meg a ridegből képlékenybe átmenet hőmérsékletét?
  • megújulás
  • kiválásos nemesítés
  • mire alkalmaznál egy lágyferrites anyagot?
  • fotoreziszt technika
  • réteges félvezető gyártási technológiák
  • milyen hibákat tantalmazhat egy egykristály, és milyeneket nem?

-- Robi - 2006.01.19.