Laboratórium 2 - 5. Mérés ellenőrző kérdései

A VIK Wikiből
Ugrás a navigációhoz Ugrás a kereséshez
← Vissza az előző oldalra – Laboratórium 2
← Vissza az előző oldalra – Laboratórium 2 - 5. Mérés: Tranzisztoros erősítő alapkapcsolások vizsgálata

1. Definiálja az aszimmetrikus erősítőkre az üzemi paramétereket!

Feladat:

Definiálja az aszimmetrikus erősítőkre az illesztési jellemzőket (bemeneti és kimeneti impedanciákat) az átviteli jellemzőket (feszültség- és áramerősítést, transzfer impedanciát és admittanciát)!


Megoldás:

Az erősítők olyan elektronikus áramkörök, amik a fogyasztó felé nagyobb teljesítményt képesek leadni, mint amekkorát a meghajtó hálózatból felvesznek.
Aszimmetrikus (hárompólusú) erősítőről akkor beszélünk, ha a meghajtó hálózatot helyettesítő generátor és a terhelés is egyik kapcsán földelt kétpólus.

Az üzemi paraméterek fontos tulajdonsága, hogy értékük (különösen visszacsatolt erősítők esetén) függ az erősítő bemeneti és kimeneti lezárásától, ezért meg kell adni, hogy az adott üzemi paraméterek milyen lezárásokhoz tartoznak.

Üzemi paraméterek
Megnevezése Jele Definíciója Dimenziója
Bemeneti impedancia [math]Z_{be}[/math] [math]{u_{be} \over i_{be}}[/math] [math]\Omega[/math]
Kimeneti impedancia [math]Z_{ki}[/math] [math]-{u_{kiü} \over i_{kir}}[/math] [math]\Omega[/math]
Feszültségerősítés [math]A_u[/math] [math]{u_{ki} \over u_{be}}[/math] [math]-[/math]
Áramerősítés [math]A_i[/math] [math]{i_{ki} \over i_{be}}[/math] [math]-[/math]
Transzfer impedancia [math]Z_A[/math] [math]{u_{ki} \over i_{be}}[/math] [math]\Omega[/math]
Transzfer admittancia [math]Y_A[/math] [math]{i_{ki} \over u_{be}}[/math] [math]S[/math]

2. Hogyan számítható a bemeneti és a kimeneti időállandó a földelt emitteres alapkapcsolásoknál?

Labor2 mérés5 ábra1.png

A bemeneti RC tag egy soros rezgőkör, ebből a bemeneti időállandó:

[math]\tau_{be}=\left( R_1 \times R_2 \right) \times \left[ (1+ \beta ) \cdot \left( r_d + R_E \right) \right] \cdot C_{be}[/math]


A kimeneti időállandó:

[math]\tau_{ki} = \left( R_C \times R_t \right) \cdot C_{ki}[/math]

3. Hogyan definiáljuk a felfutási és a lefutási időket?

Labor2 mérés5 ábra2.JPG

Felfutási idő: Az az idő, amíg jelváltáskor a jel az amplitúdójának 10%-ról a 90%-ra nő.

Lefutási idő: Az az idő, amíg jelváltáskor a jel az amplitúdójának 90%-ról a 10%-ra csökken.

4. Mi a tetőesés és mi okozza?

Labor2 mérés5 ábra3.JPG

Tetőesés: A tetőesés impulzusok esetén az impulzus amplitúdójának kismértékű csökkenése az idővel. Általában százalékos értékben adják meg.

A tetőestést az erősítés útjába sorosan eső kondenzátorok okozzák. Mivel a négyszögjel magas értéke alatt konstans a jel, tehát 0 Hz frekvenciájú, ezért azt a kondi "ki akarja szűrni", azaz úgy viselkedik, mint egy felüláteresztő RC struktúra.

5. Milyen összefüggés van a felfutási idő és a felső határfrekvencia között?

A felfutási idő annál nagyobb, minél lassabban változik jel. Egy jel akkor tud gyorsan megváltozni (ugrani), ha nagyfrekvenciás komponensei is vannak. A felső határfrekvencia felett, azonban elnyomódnak a frekvenciakomponensek, tehát annál kisebb a felfutási idő, minél nagyobb a felső határfrekvencia.

Képletszerűleg:

[math]t_{RISE} \approx {1 \over 2\pi \cdot f_{max} }[/math]

6. Milyen összefüggés van az alsó határfrekvencia és a tetőesés között?

Ha csökkentjük az alsó határfrekvenciát, akkor növeljük a leglassabb időállandót, így "lassabban szűrődik ki az egyenszint", tehát csökkenteni lehet vele a tetőesést.

7. Hogyan határozható meg egy alapkapcsolás tranzisztorának munkapontja egy és két tápfeszültséges kapcsolásban?

Feladat: Hogyan határozható meg egy földelt emitteres / kollektoros / bázisú alapkapcsolás tranzisztorának munkapontja egy és két tápfeszültséges kapcsolásban?


Megoldás:

Földelt emitteres, egytelepes alapkapcsolás:

Labor2 mérés5 ábra5.jpg

Munkaponti analízisnél egyenáramokkal és egyenfeszültségekkel dolgozunk, ennél fogva a kondenzátorok szakadásnak, illetve a kisjelű feszültséggenerátor pedig rövidzárnak vehető.

Felírva a tranzisztor bázisára egy Thevenin helyettesítő képet, majd pedig egy huroktörvényt, valamint felhasználva a tranzisztor karakterisztikáját, adódik az alábbi egyenletrendszer:

[math]U_t \cdot {R_2 \over R_1 + R_2 } = (R_1 \times R_2) \cdot (1-A)\cdot i_{E} + u_{BE} + R_E \cdot i_{E}[/math]


[math]i_E=I_{E00} \cdot \left[ \exp \left( {u_{BE} \over U_T}\right) -1 \right][/math]


Ez azonban csak iterációval lenne megoldható, de jó közelítéssel [math]U_{BE0} \approx 0.6 \; V[/math] állandónak vehető.

Tehát az egyenletrendszer redukálható egy egyismeretlenes egyenletté:

[math]I_{E0} = {U_t \cdot {R_2 \over R_1 + R_2 } - U_{BE0} \over R_E +(R_1 \times R_2) \cdot (1-A)}[/math]


A kolletktor-emitter körre felírható hurokegyenlettel pedig számítható a tranzisztor [math]U_{CE0}[/math] munkaponti értéke:

[math]U_{CE0}=U_t - \left( R_E + A \cdot R_C \right) \cdot I_{E0}[/math]



Földelt emitteres, kéttelepes alapkapcsolás:

Labor2 mérés5 ábra6.jpg

Nagyjából ugyanaz, mint az egytelepes, csak nincs bázisosztó (R1 és R2) és kondenzátor a tranzisztor bázisán, valamint az emitterellenállás nem földre hanem negatív tápfeszre van kötve:


[math]U_{BE0} \approx 0.6 \; V[/math]


[math]I_{E0} = {U_t - U_{BE0} \over R_E + R_g \cdot (1-A)}[/math]


[math]U_{CE0}=2 \cdot U_t - \left( R_E + A \cdot R_C \right) \cdot I_{E0}[/math]



Földelt kollektoros, egytelepes alapkapcsolás:

Hasonló logikával, mint a földelt emitteres alapkapcsolásnál:

Labor2 mérés5 ábra7.jpg


[math]U_{BE0} \approx 0.6 \; V[/math]


[math]I_{E0} = {U_t \cdot {R_2 \over R_1 + R_2 } - U_{BE0} \over R_E +(R_1 \times R_2) \cdot (1-A)}[/math]


[math]U_{CE0}=U_t - R_E + \cdot I_{E0}[/math]

8. Hogyan számíthatók ki a bipoláris tranzisztorok vezetés (g) és hibrid (h) paraméterei a tranzisztorok munkaponti adataiból?

9. Hogyan számíthatók ki a bipoláris tranzisztoros alapkapcsolások jellemzői a tranzisztorok g vagy h paramétereinek ismeretében?

Feladat: Hogyan számíthatók ki a bipoláris tranzisztoros alapkapcsolások feszültségerősítése, bemeneti ellenállása, kimeneti ellenállása a tranzisztorok g vagy h paramétereinek ismeretében?


Megoldás:

10. Rajzolja fel a bipoláris tranzisztorok nagyfrekvenciás hibrid p helyettesítőképét és határozza meg az egyes elemeinek értékét!

Feladat: Rajzolja fel a bipoláris tranzisztorok nagyfrekvenciás hibrid p helyettesítőképét és határozza meg a munkaponti adatok ismeretében a helyettesítőkép egyes elemeinek értékét!


Megoldás:

11. Mit értünk fizikai paraméterek alatt?

12. Milyen hatással van az emitter ellenállás a nagyfrekvenciás időállandókra?

13. Rajzolja fel a földelt emitteres alapkapcsolás kisfrekvenciás Bode-diagramját!

14. Milyen hatással van az emitterkondenzátor a földelt emitteres erősítő Bode-diagramjára?