ITeszk4 Kikérdező

A VIK Wikiből
A lap korábbi változatát látod, amilyen Szigeti Donát (vitalap | szerkesztései) 2022. december 3., 21:54-kor történt szerkesztése után volt. (→‎Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása?)
Ugrás a navigációhoz Ugrás a kereséshez
Kikérdező
Statisztika
Átlagteljesítmény
-
Eddigi kérdések
0
Kapott pontok
0
Alapbeállított pontozás
(+)
-
Beállítások
Minden kérdés látszik
-
Véletlenszerű sorrend
-
-


Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére?

Típus: több. Válasz: 2,4. Pontozás: nincs megadva.

  1. Az elemi cella mindig egy bit információt tárol.
  2. Az elemi cellát a szóvonallal aktiváljuk.
  3. A cella tranzisztorai nagyméretűek, hogy a hosszú bitvonalakat könnyen meg tudják hajtani.
  4. A félvezető memória belső működése nem teljesen digitális.

Mi igaz flash EEPROM memóriákra?

Típus: több. Válasz: 1,3. Pontozás: nincs megadva.

  1. A NAND elrendezés inkább háttértárolásra alkalmasabb.
  2. A NOR elrendezés gyakoribb, mivel a cellaméret kisebb és emiatt nagy a sűrűség.
  3. NAND elrendezésben egyszerre kb. 256-512 byte-os egységekben történik a programozás
  4. Tranzisztoronként n bit tárolásához 2n2n jól megkülönböztethető küszöbfeszültség szint szükséges.

Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra?

Típus: több. Válasz: 1,4. Pontozás: nincs megadva.

  1. Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb.
  2. Az információ gyártáskor, a tokozást követően kerül bele.
  3. Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória.
  4. Két elrendezése is lehetséges, a NOR illetve a NAND elrendezés

Mi igaz OTP ROM memóriákra?

Típus: több. Válasz: 2,4. Pontozás: nincs megadva.

  1. Kikapcsoláskor elveszítik tartalmukat.
  2. Az információ tároló elem egy fuse vagy antifuse.
  3. A fuse kiégetéskor (egy nagyobb energiájú impulzus rákapcsolása után) vezet.
  4. A programozás végleges, a beírt tartalom megváltoztatása lehetetlen.

Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra?

Típus: több. Válasz: 1,2,3. Pontozás: nincs megadva.

  1. A működés gyors, mivel teljesen párhuzamos.
  2. A tárolt adat címét keressük.
  3. A keresési idő független attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
  4. Önmagában meg lehet valósítani egy HW asszociatív tömböt

Mi igaz statikus RAM memóriára?

Típus: több. Válasz: 2,3. Pontozás: nincs megadva.

  1. Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
  2. Sem az írás, sem az olvasások száma nincs korlátozva
  3. A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg.
  4. Rendszeresen frissíteni kell.

Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása?

Típus: egy. Válasz: 4. Pontozás: nincs megadva.

  1. nF
  2. uF
  3. pF
  4. fF

Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére?

Típus: több. Válasz: 1,2,4. Pontozás: nincs megadva.

  1. A tárolás egy memória mátrixban történik.
  2. Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.
  3. Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk.
  4. A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni.

Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra?

Típus: több. Válasz: 1,3,4. Pontozás: nincs megadva.

  1. Egy hárombemenetű NAND kapu 3 nMOS és egy pMOS tranzisztorral valósítható meg.
  2. A pMOS tranzisztor nem vezéreljük, a gate-je tápfeszültségre van kötve.
  3. A logikai 0 nem 0V, hanem egy ehhez közelálló, 100mV nagyságrendű feszültség.
  4. Statikus fogyasztása van, ha a kimenet logikai 0, mivel ilyenkor áramút van tápfeszültség és a föld között.

Mi igaz statikus RAM memóriára?

Típus: több. Válasz: 4. Pontozás: nincs megadva.

  1. A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.
  2. Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.
  3. Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.
  4. Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz.

Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása?

Típus: egy. Válasz: 1. Pontozás: nincs megadva.

  1. 10−15F
  2. 1000F
  3. 10−9F
  4. 10−6F