„ITeszk4 Kikérdező” változatai közötti eltérés
Ugrás a navigációhoz
Ugrás a kereséshez
| (5 közbenső módosítás, amit 2 másik szerkesztő végzett, nincs mutatva) | |||
| 1. sor: | 1. sor: | ||
| − | {{ | + | {{kvízoldal|cím=Kikérdező|pontozás=-}} |
| − | |cím=Kikérdező | ||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
== Mi igaz OTP ROM memóriákra? == | == Mi igaz OTP ROM memóriákra? == | ||
| − | + | {{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,4|pontozás=-}} | |
| − | {{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,4}} | + | # Kikapcsoláskor elveszítik tartalmukat. |
| − | #Kikapcsoláskor elveszítik tartalmukat. | + | # Az információ tároló elem egy fuse vagy antifuse. |
| − | #Az információ tároló elem egy fuse vagy antifuse. | + | # A fuse kiégetéskor (egy nagyobb energiájú impulzus rákapcsolása után) vezet. |
| − | #A fuse kiégetéskor (egy nagyobb energiájú impulzus rákapcsolása után) vezet. | + | # A programozás végleges, a beírt tartalom megváltoztatása lehetetlen. |
| − | #A programozás végleges, a beírt tartalom megváltoztatása lehetetlen | ||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
== Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra? == | == Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra? == | ||
| + | {{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3,4|pontozás=-}} | ||
| + | # Egy hárombemenetű NAND kapu 3 nMOS és egy pMOS tranzisztorral valósítható meg. | ||
| + | # A pMOS tranzisztor nem vezéreljük, a gate-je tápfeszültségre van kötve. | ||
| + | # A logikai 0 nem 0V, hanem egy ehhez közelálló, 100mV nagyságrendű feszültség. | ||
| + | # Statikus fogyasztása van, ha a kimenet logikai 0, mivel ilyenkor áramút van tápfeszültség és a föld között. | ||
| − | {{kvízkérdés|típus=több|válasz= | + | == Mi igaz dinamikus RAM memóriára? == |
| − | # | + | {{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,3,4|pontozás=-}} |
| − | # | + | # DRAM írásakor sérül a cellában lévő kapacitás, ezért az írások száma korlátozott. |
| − | #A | + | # Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz |
| − | + | # Rendszeresen frissíteni kell. | |
| + | # A kiolvasás destruktív, azaz a cellából kiolvasott információt vissza kell írni. | ||
| − | == Mi igaz | + | == Mi igaz flash EEPROM memóriákra? == |
| − | + | {{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3,5,6|pontozás=-}} | |
| − | {{kvízkérdés|típus=több|válasz= | + | # A NAND elrendezés inkább háttértárolásra alkalmasabb. |
| − | #A | + | # A NOR elrendezés gyakoribb, mivel a cellaméret kisebb és emiatt nagy a sűrűség. |
| − | # | + | # NAND elrendezésben egyszerre kb. 256-512 byte-os egységekben történik a programozás |
| − | # | + | # Tranzisztoronként n bit tárolásához 2n2n jól megkülönböztethető küszöbfeszültség szint szükséges. |
| − | #Az | + | # Az információt valójában egy MOS tranzisztor küszöbfeszültsége tárolja |
| − | + | # A memória programozása a küszöbfeszültség megváltoztatását jelenti. | |
| − | + | # MLC memóriákban a tranzisztor a kiolvasás feszültségén vagy vezet, vagy nem vezet, programozástól függően. | |
| − | + | # Az alagútjelenség hatására nagyenergiájú elektronok jelennek meg, amelyek keresztülhaladnak a szigetelőn. | |
| − | |||
| − | # | ||
| − | # | ||
| − | # | ||
| − | |||
== Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra? == | == Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra? == | ||
| + | {{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,4,5,7|pontozás=-}} | ||
| + | # Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb. | ||
| + | # Az információ gyártáskor, a tokozást követően kerül bele. | ||
| + | # Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória. | ||
| + | # Két elrendezése is lehetséges, a NOR illetve a NAND elrendezés | ||
| + | # Nagyon nagy sorozatú gyártás esetén gazdaságos. | ||
| + | # Az információhoz egy bináris maszkot rendelnek és ezzel történik a programozás. | ||
| + | # Az információ gyártáskor kerül bele. | ||
| + | # Két elrendezése is lehetséges, az OR illetve AND elrendezés | ||
| − | + | == Mi igaz statikus RAM memóriára? == | |
| − | + | {{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,3,8|pontozás=-}} | |
| − | + | # Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz | |
| − | + | # Sem az írás, sem az olvasások száma nincs korlátozva | |
| − | + | # A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg. | |
| − | + | # Rendszeresen frissíteni kell. | |
| − | + | # A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát. | |
| − | + | # Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen. | |
| − | + | # Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik. | |
| − | + | # Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz. | |
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | == Mi igaz | ||
| − | |||
| − | {{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,3, | ||
| − | |||
| − | #Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz | ||
| − | #Rendszeresen frissíteni kell. | ||
| − | #A | ||
== Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra? == | == Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra? == | ||
| − | + | {{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,2,3,8|pontozás=-}} | |
| − | {{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,2,3}} | + | # A működés gyors, mivel teljesen párhuzamos. |
| − | #A keresési idő független attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található. | + | # A tárolt adat címét keressük. |
| − | #A | + | # A keresési idő független attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található. |
| − | #A | + | # Önmagában meg lehet valósítani egy HW asszociatív tömböt |
| − | # | + | # A keresési idő függ attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található. |
| + | # Ha n elemet tartalmaz, a keresés log2(n) órajel alatt lezajlik. | ||
| + | # A működés gyors, mivel soronként halad végig a memória mátrixon. | ||
| + | # Asszociatív tömb megvalósításához egy "hagyományos memória" is szükséges. | ||
== Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? == | == Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? == | ||
| − | + | {{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,4,5,6,8|pontozás=-}} | |
| − | {{kvízkérdés|típus=több|válasz= | + | # Az elemi cella mindig egy bit információt tárol. |
| − | #Az elemi cella mindig egy bit információt tárol. | + | # Az elemi cellát a szóvonallal aktiváljuk. |
| − | #A cella tranzisztorai nagyméretűek, hogy a hosszú bitvonalakat könnyen meg tudják hajtani. | + | # A cella tranzisztorai nagyméretűek, hogy a hosszú bitvonalakat könnyen meg tudják hajtani. |
| − | #A félvezető memória belső működése nem teljesen digitális. | + | # A félvezető memória belső működése nem teljesen digitális. |
| − | + | # A tárolás egy memória mátrixban történik. | |
| − | + | # Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért. | |
| − | + | # Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk. | |
| − | + | # A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni. | |
| − | |||
| − | #A | ||
| − | |||
| − | #Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért. | ||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | #Az elemi | ||
| − | #A | ||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
== Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? == | == Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? == | ||
| − | + | {{kvízkérdés|típus=több|válasz=4,5|pontozás=-}} | |
| − | {{kvízkérdés|típus= | + | # NF |
| − | + | # UF | |
| − | + | # PF | |
| − | + | # FF | |
| − | + | # 10<sup>−15</sup> F | |
| − | + | # 1000F | |
| − | + | # 10<sup>−9</sup> F | |
| − | + | # 10<sup>−6</sup> F | |
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | # | ||
| − | # | ||
| − | # | ||
| − | # | ||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | # | ||
| − | # | ||
| − | # | ||
| − | # | ||
A lap jelenlegi, 2022. december 14., 19:07-kori változata
Tartalomjegyzék
- 1 Mi igaz OTP ROM memóriákra?
- 2 Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra?
- 3 Mi igaz dinamikus RAM memóriára?
- 4 Mi igaz flash EEPROM memóriákra?
- 5 Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra?
- 6 Mi igaz statikus RAM memóriára?
- 7 Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra?
- 8 Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére?
- 9 Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása?
Mi igaz OTP ROM memóriákra?
- Kikapcsoláskor elveszítik tartalmukat.
- Az információ tároló elem egy fuse vagy antifuse.
- A fuse kiégetéskor (egy nagyobb energiájú impulzus rákapcsolása után) vezet.
- A programozás végleges, a beírt tartalom megváltoztatása lehetetlen.
Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra?
- Egy hárombemenetű NAND kapu 3 nMOS és egy pMOS tranzisztorral valósítható meg.
- A pMOS tranzisztor nem vezéreljük, a gate-je tápfeszültségre van kötve.
- A logikai 0 nem 0V, hanem egy ehhez közelálló, 100mV nagyságrendű feszültség.
- Statikus fogyasztása van, ha a kimenet logikai 0, mivel ilyenkor áramút van tápfeszültség és a föld között.
Mi igaz dinamikus RAM memóriára?
- DRAM írásakor sérül a cellában lévő kapacitás, ezért az írások száma korlátozott.
- Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
- Rendszeresen frissíteni kell.
- A kiolvasás destruktív, azaz a cellából kiolvasott információt vissza kell írni.
Mi igaz flash EEPROM memóriákra?
- A NAND elrendezés inkább háttértárolásra alkalmasabb.
- A NOR elrendezés gyakoribb, mivel a cellaméret kisebb és emiatt nagy a sűrűség.
- NAND elrendezésben egyszerre kb. 256-512 byte-os egységekben történik a programozás
- Tranzisztoronként n bit tárolásához 2n2n jól megkülönböztethető küszöbfeszültség szint szükséges.
- Az információt valójában egy MOS tranzisztor küszöbfeszültsége tárolja
- A memória programozása a küszöbfeszültség megváltoztatását jelenti.
- MLC memóriákban a tranzisztor a kiolvasás feszültségén vagy vezet, vagy nem vezet, programozástól függően.
- Az alagútjelenség hatására nagyenergiájú elektronok jelennek meg, amelyek keresztülhaladnak a szigetelőn.
Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra?
- Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb.
- Az információ gyártáskor, a tokozást követően kerül bele.
- Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória.
- Két elrendezése is lehetséges, a NOR illetve a NAND elrendezés
- Nagyon nagy sorozatú gyártás esetén gazdaságos.
- Az információhoz egy bináris maszkot rendelnek és ezzel történik a programozás.
- Az információ gyártáskor kerül bele.
- Két elrendezése is lehetséges, az OR illetve AND elrendezés
Mi igaz statikus RAM memóriára?
- Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
- Sem az írás, sem az olvasások száma nincs korlátozva
- A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg.
- Rendszeresen frissíteni kell.
- A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.
- Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.
- Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.
- Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz.
Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra?
- A működés gyors, mivel teljesen párhuzamos.
- A tárolt adat címét keressük.
- A keresési idő független attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
- Önmagában meg lehet valósítani egy HW asszociatív tömböt
- A keresési idő függ attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
- Ha n elemet tartalmaz, a keresés log2(n) órajel alatt lezajlik.
- A működés gyors, mivel soronként halad végig a memória mátrixon.
- Asszociatív tömb megvalósításához egy "hagyományos memória" is szükséges.
Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére?
- Az elemi cella mindig egy bit információt tárol.
- Az elemi cellát a szóvonallal aktiváljuk.
- A cella tranzisztorai nagyméretűek, hogy a hosszú bitvonalakat könnyen meg tudják hajtani.
- A félvezető memória belső működése nem teljesen digitális.
- A tárolás egy memória mátrixban történik.
- Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.
- Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk.
- A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni.
Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása?
- NF
- UF
- PF
- FF
- 10−15 F
- 1000F
- 10−9 F
- 10−6 F
